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国家千人特聘专家陈宜方教授来我校访问

时间:2014-09-14 14:55 点击:
     (通讯员 陈伟伟 张哲)应先进材料与纳米科技学院邀请,2014年9月11号国家千人特聘专家陈宜方教授于北校区西大楼412会议室作了题为“电子束光刻及其在纳米电子器件中的应用”的专题报告。先进材料与纳米科技学院副院长马晓华教授主持了报告会,近30名师生参加了本次学术交流。
    报告会上,陈宜方教授主要介绍了电子束光刻工艺及其在纳米电子器件基础研究中的应用。这些纳米电子器件包括量子输运器件(QT Device)、单电子晶体管(SETs)和高电子迁移率晶体管(HEMTs)。他着重讲了HEMT器件中T形栅的基础工艺,陈宜方教授国际上首先研发的PMMA/Al/UVIII工艺(1999年)正是基于此项研究,他研制出国际上最小的T型栅(sub-30纳米@2000年),其电流截止频率达到350GHZ,目前仍然保持的最宽头栅的世界记录。
    报告会后,陈宜方教授与到会师生们进行了广泛交流。
    陈宜方1982年毕业于复旦大学物理系,1985年获得中国科学院上海技术物理研究所固体器件专业硕士学位。1995年获得牛津大学Clarendon Laboratory凝聚态物理博士,于2012年获得国家千人特聘专家,在复旦大学985微纳科技平台担任副主任(负责信息学院的纳米科技发展),同时还兼任英国国家物理实验室(National Physical Laboratory)高级客座研究员。陈宜方教授在归国前,是英国卢瑟福-阿普尔顿实验室(Rutherford Appleton Laboratory)微纳技术中心(Micro and Nanotechnology Centre) 纳米技术首席科学家(Principal Scientist)。在最近几年,他在英国主持了多项千万元以上的联合科研项目,包括一项欧共体第七框架科研人员国际交换项目的首席科学家(2010-2014)、英国新型纳米镜项目协同首席科学家(Co-Investigator)(2008-2012)、英国战略技术发展局纳米技术的防伪安全应用项目首席科学家(2007-2010)。在国际科技期刊上发表科研论文130篇。他在电子束光刻、纳米压印和纳米加工技术上所积累的丰富的经验使得他成功地将纳米技术应用于纳米电子学、纳米光子晶体和超构材料以及纳米生物等领域。