当前位置:主页 > 讲座报告 >

GaN压电光电子器件

时间:2018-11-05 10:24 点击:
报告时间:11月7日 上午10:00-11:00
报告地点:南校区G楼 118报告厅
讲座题目:GaN压电光电子器件
主讲人:胡卫国

报告人简介:
胡卫国,中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员,微纳能源与传感北京市重点实验室副主任。2007年博士毕业于中国科学院半导体研究所,2007-2013年任日本三重大学(Mie Univ.)、神户大学(Kobe Univ.)、东北大学(Tohoku Univ.)博士后和助理教授,2013年任中科院北京纳能所研究员。研究方向为半导体材料外延、光电子器件数值计算和研制。迄今为止在Science advances、Advanced Materials、Materials Horizons等学术期刊发表论文60余篇,在IEDM等40多个学术会议上报告研究工作。入选中国科学院百人计划和北京市海聚工程。