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专利

时间:2014-12-11 13:41 点击:
已授权代表性专利:共  14  项, 
序号 专利名称 专利授权国 专利号 授权公告日 排序
1 AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法 中国  ZL200910218717.2  2011.12.07  
2 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 中国  ZL201010120734.5   2011.10.19   
3 叠栅SiC-MIS电容的制作方法 中国  ZL201210118317.6   2014.07.09   
4 深亚微米栅长AlGaN/GaN HEMT制作方法 中国  ZL201010120734.5  2013.04.03  
5 基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED 器件及制作方法 中国  ZL200910021761.4   2012.05.09   
6 全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 中国  ZL201010013536.9   2011.08.24   
7 AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件的制作方法 中国  ZL200910021793.4   2011.04.06   
8 SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及制作方法 中国  ZL200910021764.8  2011.04.06  
9 AlGaN基SiC衬底的紫外LED制作方法 中国 ZL200910021778.X 2010.12.01  
10 蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件的制作方法 中国 ZL200910021779.4 2010.12.01  
11 基于蓝宝石衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的制作方法 中国 ZL200910021794.9 2010.08.25  
12 基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法 中国 ZL201210131041.5 2014.08.20  
13 GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 中国 ZL201210132145.8 2014.08.20  
14 阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管 中国 ZL201110001068.8 2012.07.25  
尚未授权专利:共  4 项 
序号 专利名称 专利申请国 申请号 专利申请日 排序
1 高介电损耗钛硅碳粉体微波吸收剂的制备方法 中国 201410571175.8 2014  
2 一种荧光增强型IR-780近红外介孔硅纳米探针的制备方法 中国 201410289402.8 2014  
3 具有抗体介导的光磁双模态介孔硅纳米颗粒的制备方法 中国 201410289389.6 2014  
4 一种单斜相双四面体状钒酸铋晶体的制备方法 中国 201310277825.3 2013  
5 晶体管晶格形变导致性能退化的测试装置及方法 中国 201210434249.4 2012.10.19  
6 离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法 中国 201310279945.7 2013.07.04  
7 基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法 中国 201310280216.3 2013.07.04  
8 选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法 中国 201310280177.7 2013.07.04  

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